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  • 電子電路基礎知識介紹
    • 发布时间:2020-08-07 18:27:47
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    電子電路基礎知識介紹
    电子电路
    電路基礎知識(一)
    电路基础知识(1)——電阻
    导电体对电流的阻碍作用称着電阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
    一、電阻的型号命名方法:
    国产電阻器的型号由四部分组成(不适用敏感電阻)
    第一部分:主称 ,用字母表示,表示产品的名字。如R表示電阻,W表示电位器。
    第二部分:材料 ,用字母表示,表示電阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-分解碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
    第三部分:分类,一般用数字表示,个别范例用字母表示,表示产品属于什么范例。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
    第四部分:序號,用數字表示,表示同類産品中不同品種,以區分産品的外型尺寸和性能指標等
    比方:R T 1 1 型普通碳膜電阻a1}
    二、電阻器的分类              
    1、线绕電阻器:通用线绕電阻器、精密线绕電阻器、大功率线绕電阻器、高频线绕電阻器。
    2、薄膜電阻器:碳膜電阻器、分解碳膜電阻器、金属膜電阻器、金属氧化膜電阻器、化学沉积膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金属氮化膜電阻器。
    3、实心電阻器:无机分解实心碳质電阻器、有机分解实心碳质電阻器。
    4、敏感電阻器:压敏電阻器、热敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、气敏電阻器、湿敏電阻器。
    3、主要特性參數
    1、标称阻值:電阻器上面所标示的阻值。
    2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示電阻器的精度。
    允許誤差與精度等級對應關系以下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ級、±10%-Ⅱ級、±20%-Ⅲ級
    3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及情况温度为-55℃~+70℃的条件下,電阻器长期工作所允许耗散的最大功率。
    线绕電阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
    非线绕電阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
    4、額定電壓:由阻值和額定功率換算出的電壓。
    5、最高工作電壓:允許的最大連續工作電壓。在低氣壓工作時,最高工作電壓較低。
    6、温度系数:温度每变化1℃所引起的電阻值的相对变化。温度系数越小,電阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。
    7、老化系数:電阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示電阻器寿命长短的参数。
    8、电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,電阻器的相对变化量。
    9、噪声:产生于電阻器中的一种不规则的电压升沉,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动,使导体任意两点的电压不规则变化。
    四、電阻器阻值标示方法
    1、直標法:用数字和单位符号在電阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示,若電阻上未注偏差,则均为±20%。
    2、文字符號法:用阿拉伯數字和文字符號兩者有規律的組合來表示標稱阻值,其允許偏差也用文字符號表示。符號前面的數字表示整數阻值,後面的數字依次表示第一位小數阻值和第二位小數阻值。
    表示允許誤差的文字符號
    文字符号 D F G J K M
    允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
    3、数码法:在電阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右,第一、二位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
    4、色标法:用不同颜色的带或点在電阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外電阻大部分采用色标法。
    黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無色-±20%
    当電阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字, 第三位为乘方数,第四位为偏差。 当電阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字, 第四位为乘方数, 第五位为偏差。
    五、常用電阻器
    1、電位器
    电位器是一种电机元件,他*电刷在電阻体上的滑动,取得与电刷位移成一定关系的输出电压。
    1.1 分解碳膜电位器
    電阻体是用经过研磨的碳黑,石墨,石英等材料涂敷于基体表面而成,该工艺简朴, 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好,寿命较长。缺点是电流噪声,非线性大, 耐潮性以及阻值稳定性差。
    1.2 有机实心电位器
    有机实心电位器是一种新型电位器,它是用加热塑压的方法,将有机電阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可*性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可*、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
    1.3 金属玻璃铀电位器
    用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀電阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好, 是很有前程的电位器品种,缺点是打仗電阻和电流噪声大。
    1.4 绕线电位器
    绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为電阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是打仗電阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
    1.5 金属膜电位器
    金属膜电位器的電阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
    1.6 导电塑料电位器
    用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)電阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚分解電阻膜,或将DAP電阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为電阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可*性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
    1.7 带开关的电位器
    有旋轉式開關電位器、推拉式開關電位器、推推開關式電位器
    1.8 预调式电位器
    預調式電位器在電路中,一旦調試好,用蠟封住調節位置,在一般情況下不再調節。
    1.9 直滑式电位器
    采用直滑方式改变電阻值。
    1.10 双连电位器
    有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器
    1.11 无触点电位器
    無觸點電位器消除了機械接觸,壽命長、可*性高,分光電式電位器、磁敏式電位器等。
    2、实芯碳质電阻器
    用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混淆制成一个实体的電阻器。
    特點:價格昂贵,但其阻值誤差、噪聲電壓都大,穩定性差,目前較少用。
    3、绕线電阻器
    用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成,外面塗有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
    绕线電阻具有较低的温度系数,阻值精度高, 稳定性好,耐热耐腐蚀,主要做精密大功率電阻使用,缺点是高频性能差,时间常数大。
    4、薄膜電阻器
    用蒸发的方法将一定電阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要以下:
    4.1 碳膜電阻器
    将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的電阻器。
    4.2 金属膜電阻器。
    用真空蒸發的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
    金属膜電阻比碳膜電阻的精度高,稳定性好,噪声, 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
    4.3 金属氧化膜電阻器
    在絕緣棒上沈積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高溫下穩定,耐熱沖擊,負載能力強。
    4.4 分解膜電阻
    将导电分解物悬浮液涂敷在基体上而得,因此也叫漆膜電阻。
    由于其导电层呈现颗粒状结构,所以其噪声大,精度低,主要用他制造高压, 高阻, 小型電阻器。
    5、金属玻璃铀電阻器
    將金屬粉和玻璃鈾粉混淆,采用絲網印刷法印在基板上。
    耐潮湿, 高温, 温度系数小,主要应用于厚膜电路。
    6、贴片電阻SMT
    片状電阻是金属玻璃铀電阻的一种形式,他的電阻体是高可*的钌系列玻璃铀材料经太高温烧结而成,电极采用银钯合金浆料。体积小,精度高,稳定性好,由于其为片状元件,所以高频性能好。
    7、敏感電阻
    敏感電阻是指器件特性对温度,电压,湿度,光照,气体, 磁场,压力等作用敏感的電阻器。
    敏感電阻的符号是在普通電阻的符号中加一斜线,并在旁标注敏感電阻的范例,如:t. v等。
    7.1、压敏電阻
    主要有碳化硅和氧化锌压敏電阻,氧化锌具有更多的优良特性。
    7.2、湿敏電阻
    由感湿层,电极, 绝缘体组成,湿敏電阻主要包括氯化锂湿敏電阻,碳湿敏電阻,氧化物湿敏電阻。氯化锂湿敏電阻随湿度上升而電阻减小,缺点为测试范围小,特性重复性不好,受温度影响大。碳湿敏電阻缺点为高温灵敏度低,阻值受温度影响大,由老化特性, 较少使用。
    氧化物湿敏電阻性能较优越,可长期使用,温度影响小,阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡,镍铁酸盐,等材料。
    7.3、光敏電阻
    光敏電阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件,当某种物质受到光照时,载流子的浓度增加从而增加了电导率,这就是光电导效应。
    7.4、气敏電阻
    利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成,主要成分是金属氧化物,主要品种有:金属氧化物气敏電阻、复合氧化物气敏電阻、陶瓷气敏電阻等。
    7.5、力敏電阻
    力敏電阻是一种阻值随压力变化而变化的電阻,国外称为压电電阻器。所谓压力電阻效应即半导体材料的電阻率随机器应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计,半导体话筒,压力传感器等。主要品种有硅力敏電阻器,硒碲合金力敏電阻器,相对而言, 合金電阻器具有更高灵敏度。
    电路设计基础知识(2)——電容
    電容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。用C表示電容,電容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF
    一、電容器的型号命名方法
    国产電容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空電容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。
    第一部分:名称,用字母表示,電容器用C。
    第二部分:材料,用字母表示。
    第三部分:分類,一般用數字表示,個別用字母表示。
    第四部分:序號,用數字表示。
    用字母表示産品的材料:A-钽電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-别的材料電解、G-合金電解、H-複合介質、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-铌電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-雲母紙、Y-雲母、Z-紙介
     
    二、電容器的分类
    按照结构分三大类:固定電容器、可变電容器和微调電容器。
    按电解质分类有:有机介质電容器、无机介质電容器、电解電容器和氛围介质電容器等。
    按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型電容器。
    高频旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、涤纶電容器、玻璃釉電容器。
    低频旁路:纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、涤纶電容器。
    滤 波:铝电解電容器、纸介電容器、复合纸介電容器、液体钽電容器。
    调 谐:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。
    高频耦合:陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。
    低频耦合:纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、涤纶電容器、固体钽電容器。
    小型電容:金属化纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、聚苯乙烯電容器、固体钽電容器、玻璃釉電容器、金属化涤纶電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。
     
    3、常用電容器
    1、铝电解電容器
    用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中心卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的電容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解電容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流容量误差大,泄泄电流大;普通的不适于在高频和高温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波
    2、钽电解電容器
    用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解電容器,特别是泄电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的電容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可*机件中
    3、薄膜電容器
    结构与纸质電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
    4、瓷介電容器
    穿心式或支柱式结构瓷介電容器,它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路
    5、独石電容器
    (多层陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型電容器,高介电常数的低频独石電容器也具有稳定的性能,体主动小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路
    6、纸质電容器
    一般是用两条铝箔作为电极,中心以厚度为0.008~0.012mm的電容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简朴,价格便宜,能得到较大的電容量 
    一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用。油浸電容器的耐压比普通纸质電容器高,稳定性也好,适用于高压电路
    7、微调電容器
    電容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个電容值。
    瓷介微调電容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种。
    8、雲母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。
    线绕瓷介微调電容器是拆铜丝〈外电极〉来变动電容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用
    9、陶瓷電容器
    用高介电常数的電容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
    具有小的正電容温度系数的電容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路電容器及垫整電容器。低频瓷介電容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种電容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介電容器适用于高频电路
    云母電容器就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电极端直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了氛围间隙,温度系数大为下降,電容稳定性也比箔片式高。频率特性好,Q值高,温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中,并可用作标准電容器
    10、玻璃釉電容器由一种浓度适于喷涂的特殊混淆物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母電容器媲美,能耐受各种天气情况,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008 
     
    四、電容器主要特性参数:
    1、标称電容量和允许偏差
    标称電容量是标志在電容器上的電容量。
    電容器实际電容量与标称電容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
    精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
    一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
    2、額定電壓
    在最低情况温度和额定情况温度下可连续加在電容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在電容器外壳上,如果工作电压超过電容器的耐压,電容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
    3、绝缘電阻
    直流电压加在電容上,并产生泄电电流,二者之比称为绝缘電阻.
    当電容较小时,主要取决于電容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘電阻越小越好。
    電容的时间常数:为恰当的评价大容量電容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于電容的绝缘電阻与容量的乘积。
    4、損耗
    電容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类電容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,電容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和電容所有金属部分的電阻所引起的。 
    在直流电场的作用下,電容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,電容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。
     
    5、頻率特性
    随着频率的上升,一般電容器的電容量呈现下降的规律。
     
    五、電容器容量标示
    1、直標法
    用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。
    2、文字符號法
    用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
    3、色標法
    用色环或色点表示電容器的主要参数。電容器的色标法与電阻相同。
    電容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
    電路設計基礎知識(3)——電感線圈
    电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此相互绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
    一、電感的分類
    按 电感形式 分类:固定电感、可变电感。
    按導磁體性質分類:空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
    按 工作性质 分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
    按 绕线结构 分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
    二、電感線圈的主要特性參數
    1、電感量L
    電感量L表示線圈本身固有特性,與電流大小無關。除專門的電感線圈(色碼電感)外,電感量一般不專門標注在線圈上,而以特定的名稱標注。
    2、感抗XL
    電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關系爲XL=2πfL
    3、品質因素Q
    品格因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的電阻的比值,即:Q=XL/R
    线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流電阻,骨架的介质损耗,屏障罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。
    4、分布電容
    线圈的匝与匝间、线圈与屏障罩间、线圈与底版间存在的電容被称为分布電容。分布電容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布電容越小越好。
    3、常用線圈
    1、單層線圈
    單層線圈是用絕緣導線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。
    2、蜂房式線圈
    如果所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周,导线往返弯折的次数,常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小,分布電容小,而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布電容越小
    3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈
    線圈的電感量大小與有無磁芯有關。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯,可增加電感量和提高線圈的品質因素。
    4、銅芯線圈
    銅芯線圈在超短波範圍應用較多,利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量,這種調整比較方便、耐用。
    5、色碼電感器
    色码电感器是具有固定电感量的电感器,其电感量标志方法同電阻一样以色环来标记。
    6、阻流圈(扼流圈)
    限制交流電通過的線圈稱阻流圈,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。
    7、偏轉線圈
    偏轉線圈是電視機掃描電路輸出級的負載,偏轉線圈要求:偏轉靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格低。
    變壓器
    變壓器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)。變壓器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。
    一、分類
    按冷却方式分类:干式(自冷)變壓器、油浸(自冷)變壓器、氟化物(蒸发冷却)變壓器。
    按防潮方式分类:开放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。
    按铁芯或线圈结构分类:芯式變壓器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式變壓器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型變壓器、金属箔變壓器。
    按电源相数分类:单相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。
    按用途分类:电源變壓器、调压變壓器、音频變壓器、中频變壓器、高频變壓器、脉冲變壓器。
    二、电源變壓器的特性参数
    1 工作频率
    變壓器铁芯损耗与频率关系很大,故应根据使用频率来设计和使用,这种频率称工作频率。
    2 额定功率
    在规定的频率和电压下,變壓器能长期工作,而不超过规定温升的输出功率。
    3 额定电压
    指在變壓器的线圈上所允许施加的电压,工作时不得大于规定值。
    4 电压比
    指變壓器初级电压和次级电压的比值,有空载电压比和负载电压比的区分。
    5 空载电流
    變壓器次级开路时,初级仍有一定的电流,这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成。对于50Hz电源變壓器而言,空载电流基本上等于磁化电流。
    6 空载损耗:指變壓器次级开路时,在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗,其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损),这部分损耗很小。
    7 效率
    指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常變壓器的额定功率愈大,效率就愈高。
    8 绝缘電阻
    表示變壓器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘電阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。
    3、音频變壓器和高频變壓器特性参数
    1 频率响应
    指變壓器次级输出电压随工作频率变化的特性。
    2 通频带
    如果變壓器在中心频率的输出电压为U0,当输出电压(输入电压保持不变)下降到0.707U0时的频率范围,称为變壓器的通频带B。
    3 初、次级阻抗比
    變壓器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使變壓器初、次级阻抗匹配,则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下,變壓器工作在最佳状态,传输效率最高。
     
    電路設計基礎知識(二)
    一、 中国半导体器件型号命名方法
    半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第3、四、五部分)組成。五個部分意義以下:
    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二極管、3-三極管
    第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二極管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
    第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃规复管、CS-場效應管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
    第四部分:用數字表示序號
    第五部分:用漢語拼音字母表示規格號
    比方:3DG18表示NPN型硅材料高频三極管
    日本半導體分立器件型號命名方法
    二、日本生産的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義以下:
    第一部分:用数字表示器件有效电极数目或范例。0-光电(即光敏)二極管三極管及上述器件的组合管、1-二極管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
    第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料极性和范例。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结晶體管、J-P沟道場效應管、K-N 沟道場效應管、M-双向可控矽。
    第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是近期産品。
    第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
    美國半導體分立器件型號命名方法
    3、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法以下:
    第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非軍用品。
    第二部分:用数字表示pn结数目。1-二極管、2=三極管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
    第三部分:美國電子工業協會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。
    第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
    第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三極管,JAN-军级、2-三極管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
    四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
    德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義以下:
    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
    第二部分:用字母表示器件的范例及主要特征。A-检波开关混频二極管、B-变容二極管、C-低频小功率三極管、D-低频大功率三極管、E-隧道二極管、F-高频小功率三極管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三極管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-稳压二極管。
    第三部分:用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
    第四部分:用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
    除四個基本部分外,有時還加後綴,以區別特性或進一步分類。常見後綴以下:
    1、稳压二極管型号的后缀。厥后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;厥后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
    2、整流二極管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。
    3、晶閘管型號的後綴也是數字,通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
    如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三極管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三極管。
    五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
    歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用以下命名方法。
    第一部分:O-表示半導體器件
    第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光电二極管、CP-光电三極管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
    第三部分:多位數字-表示器件的登記序號。
    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型産品。
    俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。
    一、半导体二極管参数符号及其意义
    CT---势垒電容
    Cj---结(极间)電容, 表示在二極管两端加规定偏压下,锗检波二極管的总電容
    Cjv---偏压结電容
    Co---零偏压電容
    Cjo---零偏压结電容
    Cjo/Cjn---结電容变化
    Cs---管壳電容或封装電容
    Ct---总電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
    CTC---電容温度系数
    Cvn---标称電容
    IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二極管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二極管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二極管正向电参数时给定的电流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二極管的最大正向脉冲电流。发光二極管极限电流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 发光二極管起辉电流
    IFRM---正向重複峰值電流
    IFSM---正向不重複峰值電流(浪湧電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光电流或稳流二極管极限电流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流电流(反向泄电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波電阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二極管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二極管在反向电压下,产生的泄电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的泄电流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重複平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重複電流
    IRRM---反向重複峰值電流
    IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪湧電流)
    Irp---反向恢複電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在電阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二極管的最大工作电流
    IZSM---稳压二極管浪涌电流
    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二極管允许通过的电流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢複電流
    Iop---工作電流
    Is---稳流二極管稳定电流
    f---頻率
    n---電容变化指数;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開關功率
    PM---额定功率。硅二極管结温不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪湧功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重複浪湧功率
    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二極管允许承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分電阻
    RBB---双基极晶體管的基极间電阻
    RE---射频電阻
    RL---负载電阻
    Rs(rs)----串联電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---动态電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰减電阻
    r(th)---瞬态電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢複時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---最高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢複時間
    ts---存儲時間
    tstg---温度补偿二極管的贮成温度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光谱半宽度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重複峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪湧電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷点电压
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓範圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝点电压(稳流二極管)
    VL ---极限电压
    二、雙極型晶體管參數符號及其意義
    Cc---集电极電容
    Ccb---集电极与基极间電容
    Cce---发射极接地输出電容
    Ci---输入電容
    Cib---共基极输入電容
    Cie---共发射极输入電容
    Cies---共发射极短路输入電容
    Cieo---共发射极开路输入電容
    Cn---中和電容(外电路参数)
    Co---输出電容
    Cob---共基极输出電容。在基极电路中,集电极与基极间输出電容
    Coe---共发射极输出電容
    Coeo---共发射极开路输出電容
    Cre---共发射极反馈電容
    Cic---集电结势垒電容
    CL---负载電容(外电路参数)
    Cp---并联電容(外电路参数)
    BVcbo---發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
    BVceo---基極開路,CE結擊穿電壓
    BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
    BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
    BV cer---基极与发射极串接一電阻,CE结击穿电压
    D---占空比
    fT---特征頻率
    fmax---最高振荡频率。当三極管功率增益等于1时的工作频率
    hFE---共發射極靜態電流放大系數
    hIE---共發射極靜態輸入阻抗
    hOE---共發射極靜態輸出電導
    h RE---共发射极静态电压反馈系数
    hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
    hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
    hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
    hoe---共發射極小信號開路輸出導納
    IB---基極直流電流或交流電流的平均值
    Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
    IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
    Icbo---基極接地,發射極對地開路,在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向停止電流
    Iceo---發射極接地,基極對地開路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    Iebo---基極接地,集電極對地開路,在規定的反向電壓VEB條件下,發射極與基極之間的反向停止電流
    Icer---基极与发射极间串联電阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向停止电流
    Ices---發射極接地,基極對地短路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    Icex---發射極接地,基極與發射極間加指定偏壓,在規定的反向偏壓VCE下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
    IBM---在集電極允許耗散功率的範圍內,能連續地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
    ICMP---集電極最大允許脈沖電流
    ISB---二次擊穿電流
    IAGC---正向自動控制電流
    Pc---集電極耗散功率
    PCM---集電極最大允許耗散功率
    Pi---輸入功率
    Po---輸出功率
    Posc---振蕩功率
    Pn---噪聲功率
    Ptot---總耗散功率
    ESB---二次擊穿能量
    rbb''---基区扩大電阻(基区本征電阻)
    rbb''Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩大電阻与集电结電容量的乘积
    rie---发射极接地,交流输出短路时的输入電阻
    roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出電阻
    RE---外接发射极電阻(外电路参数)
    RB---外接基极電阻(外电路参数)
    Rc ---外接集电极電阻(外电路参数)
    RBE---外接基极-发射极间電阻(外电路参数)
    RL---负载電阻(外电路参数)
    RG---信號源內阻
    Rth---熱阻
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Ts---結溫
    Tjm---最大允許結溫
    Tstg---貯存溫度
    td----延遲時間
    tr---上升時間
    ts---存貯時間
    tf---下降時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    VCB---集電極-基極(直流)電壓
    VCE---集電極-發射極(直流)電壓
    VBE---基極發射極(直流)電壓
    VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VEBO---基極接地,集電極對地開路,發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEO---發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCER---发射极接地,基极与发射极间串接電阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
    VCES---發射極接地,基極對地短路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEX---發射極接地,基極與發射極之間加規定的偏壓,集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
    Vp---穿通電壓。
    VSB---二次擊穿電壓
    VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VEE---發射極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VCE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
    VBE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下,基極-發射極飽和壓降(前向壓降)
    VAGC---正向自動增益控制電壓
    Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
    V n---噪声电压
    Cj---结(极间)電容, 表示在二極管两端加规定偏压下,锗检波二極管的总電容
    Cjv---偏压结電容
    Co---零偏压電容
    Cjo---零偏压结電容
    Cjo/Cjn---结電容变化
    Cs---管壳電容或封装電容
    Ct---总電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
    CTC---電容温度系数
    Cvn---标称電容
    IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二極管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二極管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二極管正向电参数时给定的电流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二極管的最大正向脉冲电流。发光二極管极限电流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 发光二極管起辉电流
    IFRM---正向重複峰值電流
    IFSM---正向不重複峰值電流(浪湧電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光电流或稳流二極管极限电流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流电流(反向泄电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波電阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二極管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二極管在反向电压下,产生的泄电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的泄电流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重複平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重複電流
    IRRM---反向重複峰值電流
    IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪湧電流)
    Irp---反向恢複電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在電阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二極管的最大工作电流
    IZSM---稳压二極管浪涌电流
    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二極管允许通过的电流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢複電流
    Iop---工作電流
    Is---稳流二極管稳定电流
    f---頻率
    n---電容变化指数;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開關功率
    PM---额定功率。硅二極管结温不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪湧功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重複浪湧功率
    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二極管允许承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分電阻
    RBB---双基极晶體管的基极间電阻
    RE---射频電阻
    RL---负载電阻
    Rs(rs)----串联電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---动态電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰减電阻
    r(th)---瞬态電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢複時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---最高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢複時間
    ts---存儲時間
    tstg---温度补偿二極管的贮成温度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光谱半宽度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重複峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪湧電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷点电压
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓範圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝点电压(稳流二極管)
    VL ---极限电压
    3、場效應管参数符号意义
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-衬底電容
    Cgd---栅-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---栅短路共源输入電容
    Coss---栅短路共源输出電容
    Crss---栅短路共源反向传输電容
    D---占空比(占空系數,外電路參數)
    di/dt---電流上升率(外電路參數)
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數)
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態漏極電流
    IDQ---靜態漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時,漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開路時,停止柵電流
    IGSO---漏極開路時,停止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向电流
    IGSS---漏極短路時停止柵電流
    IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
    IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數)
    gfs---正向跨導
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導
    gds---漏源電導
    K---失調電壓溫度系數
    Ku---傳輸系數
    L---負載電感(外電路參數)
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通态電阻
    rDS(of)---漏源断态電阻
    rGD---栅漏電阻
    rGS---栅源電阻
    Rg---栅极外接電阻(外电路参数)
    RL---负载電阻(外电路参数)
    R(th)jc---結殼熱阻
    R(th)ja---結環熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極最大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數)
    to(on)---開通延遲時間
    td(off)---關斷延遲時間
    ti---上升時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tf---下降時間
    trr---反向恢複時間
    Tj---結溫
    Tjm---最大允許結溫
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGS(th)---開啓電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅動源內阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數
    ards---漏源電阻温度系数
    電路設計基礎知識(5)——繼電器
     
    一、继电器的工作原理和特性   
    繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(又稱輸入回路)和被控制系統(又稱輸出回路),通常應用于自動控制電路中,它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
    1、電磁繼電器的工作原理和特性
    電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓,線圈中就會流過一定的電流,從而産生電磁效應,銜鐵就會在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯,從而帶動銜鐵的動觸點與靜觸點(常開觸點)吸合。當線圈斷電後,電磁的吸力也隨之消失,銜鐵就會在彈簧的反作用力返回原來的位置,使動觸點與原來的靜觸點(常閉觸點)吸合。這樣吸合、釋放,從而達到了在電路中的導通、切斷的目的。對于繼電器的“常開、常閉”觸點,可以這樣來區分:繼電器線圈未通電時處于斷開狀態的靜觸點,稱爲“常開觸點”;處于接通狀態的靜觸點稱爲“常閉觸點”。
    2、熱敏幹簧繼電器的工作原理和特性
    熱敏幹簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測和控制溫度的新型熱敏開關。它由感溫磁環、恒磁環、幹簧管、導熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏幹簧繼電器不用線圈勵磁,而由恒磁環産生的磁力驅動開關動作。恒磁環能否向幹簧管提供磁力是由感溫磁環的溫控特性決定的。
    3、固態繼電器(SSR)的工作原理和特性
    固態繼電器是一種兩個接線端爲輸入端,另兩個接線端爲輸出端的四端器件,中間采用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。
    固态继电器按负载电源范例可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分为混淆型、變壓器隔离型和光电隔离型,以光电隔离型为最多。.
    二、繼電器主要産品技術參數
    1、額定工作電壓
      是指繼電器正常工作時線圈所需要的電壓。根據繼電器的型號不同,可以是交流電壓,也可以是直流電壓。
    2、直流電阻
      是指继电器中线圈的直流電阻,可以通过万能表测量。
    3、吸合電流
      是指繼電器能夠産生吸合動作的最小電流。在正常使用時,給定的電流必須略大于吸合電流,這樣繼電器才能穩定地工作。而對于線圈所加的工作電壓,一般不要超過額定工作電壓的1.5倍,否則會産生較大的電流而把線圈燒毀。
    4、釋放電流
     是指繼電器産生釋放動作的最大電流。當繼電器吸合狀態的電流減小到一定程度時,繼電器就會恢複到未通電的釋放狀態。這時的電流遠遠小于吸合電流。
    5、觸點切換電壓和電流
     是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小,使用時不能超過此值,否則很容易損壞繼電器的觸點。
    3、繼電器測試
    1、测触点電阻
      用万能表的電阻档,测量常闭触点与动点電阻,其阻值应为0;而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区分出那个是常闭触点,那个是常开触点。
    2、测线圈電阻
      可用萬能表R×10Ω檔測量繼電器線圈的阻值,從而判斷該線圈是否存在著開路現象。
    3、測量吸合電壓和吸合電流
      找來可調穩壓電源和電流表,給繼電器輸入一組電壓,且在供電回路中串入電流表進行監測。慢慢調高電源電壓,聽到繼電器吸合聲時,記下該吸合電壓和吸合電流。爲求准確,可以試多幾次而求平均值。
    4、測量釋放電壓和釋放電流
      也是像上述那樣連接測試,當繼電器發生吸合後,再逐漸低落供電電壓,當聽到繼電器再次發生釋放聲音時,記下此時的電壓和電流,亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下,繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50%,如果釋放電壓太小(小于1/10的吸合電壓),則不能正常使用了,這樣會對電路的穩定性造成威脅,工作不可*。
    四、繼電器的電符號和觸點形式
    繼電器線圈在電路中用一個長方框符號表示,如果繼電器有兩個線圈,就畫兩個並列的長方框。同時在長方框內或長方框旁標上繼電器的文字符號“J”。繼電器的觸點有兩種表示方法:一種是把它們直接畫在長方框一側,這種表示法較爲直觀。另一種是按照電路連接的需要,把各個觸點分別畫到各自的控制電路中,通常在同一繼電器的觸點與線圈旁分別標注上相同的文字符號,並將觸點組編上號碼,以示區別。繼電器的觸點有三種基本形式:
    1.動合型(H型)線圈不通電時兩觸點是斷開的,通電後,兩個觸點就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
    2.動斷型(D型)線圈不通電時兩觸點是閉合的,通電後兩個觸點就斷開。用斷字的拼音字頭“D”表示。
    3.轉換型(Z型)這是觸點組型。這種觸點組共有三個觸點,即中間是動觸點,上下各一個靜觸點。線圈不通電時,動觸點和其中一個靜觸點斷開和另一個閉合,線圈通電後,動觸點就移動,使原來斷開的成閉合,原來閉合的成斷開狀態,達到轉換的目的。這樣的觸點組稱爲轉換觸點。用“轉”字的拼音字頭“z”表示。
    五、繼電器的選用
    1.先了解必要的條件:①控制電路的電源電壓,能提供的最大電流;②被控制電路中的電壓和電流;③被控電路需要幾組、什麽形式的觸點。選用繼電器時,一般控制電路的電源電壓可作爲選用的依據。控制電路應能給繼電器提供足夠的工作電流,否則繼電器吸合是不穩定的。
    2.查閱有關資料確定使用條件後,可查找相關資料,找出需要的繼電器的型號和規格號。若手頭已有繼電器,可依據資料核對是否可以利用。最後考慮尺寸是否合適。
    3.注意器具的容積。如果用于一般用電器,除考慮機箱容積外,小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對于小型電器,如玩具、遙控裝置則應選用超小型繼電器産品。電子電路基礎知識
    電路基礎知識(一)
    电路基础知识(1)——電阻
    导电体对电流的阻碍作用称着電阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
    一、電阻的型号命名方法:
    国产電阻器的型号由四部分组成(不适用敏感電阻)
    第一部分:主称 ,用字母表示,表示产品的名字。如R表示電阻,W表示电位器。
    第二部分:材料 ,用字母表示,表示電阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-分解碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
    第三部分:分类,一般用数字表示,个别范例用字母表示,表示产品属于什么范例。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
    第四部分:序號,用數字表示,表示同類産品中不同品種,以區分産品的外型尺寸和性能指標等
    比方:R T 1 1 型普通碳膜電阻a1}
    二、電阻器的分类              
    1、线绕電阻器:通用线绕電阻器、精密线绕電阻器、大功率线绕電阻器、高频线绕電阻器。
    2、薄膜電阻器:碳膜電阻器、分解碳膜電阻器、金属膜電阻器、金属氧化膜電阻器、化学沉积膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金属氮化膜電阻器。
    3、实心電阻器:无机分解实心碳质電阻器、有机分解实心碳质電阻器。
    4、敏感電阻器:压敏電阻器、热敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、气敏電阻器、湿敏電阻器。
    3、主要特性參數
    1、标称阻值:電阻器上面所标示的阻值。
    2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示電阻器的精度。
    允許誤差與精度等級對應關系以下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ級、±10%-Ⅱ級、±20%-Ⅲ級
    3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及情况温度为-55℃~+70℃的条件下,電阻器长期工作所允许耗散的最大功率。
    线绕電阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
    非线绕電阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
    4、額定電壓:由阻值和額定功率換算出的電壓。
    5、最高工作電壓:允許的最大連續工作電壓。在低氣壓工作時,最高工作電壓較低。
    6、温度系数:温度每变化1℃所引起的電阻值的相对变化。温度系数越小,電阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。
    7、老化系数:電阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示電阻器寿命长短的参数。
    8、电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,電阻器的相对变化量。
    9、噪声:产生于電阻器中的一种不规则的电压升沉,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动,使导体任意两点的电压不规则变化。
    四、電阻器阻值标示方法
    1、直標法:用数字和单位符号在電阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示,若電阻上未注偏差,则均为±20%。
    2、文字符號法:用阿拉伯數字和文字符號兩者有規律的組合來表示標稱阻值,其允許偏差也用文字符號表示。符號前面的數字表示整數阻值,後面的數字依次表示第一位小數阻值和第二位小數阻值。
    表示允許誤差的文字符號
    文字符号 D F G J K M
    允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
    3、数码法:在電阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右,第一、二位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
    4、色标法:用不同颜色的带或点在電阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外電阻大部分采用色标法。
    黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無色-±20%
    当電阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字, 第三位为乘方数,第四位为偏差。 当電阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字, 第四位为乘方数, 第五位为偏差。
    五、常用電阻器
    1、電位器
    电位器是一种电机元件,他*电刷在電阻体上的滑动,取得与电刷位移成一定关系的输出电压。
    1.1 分解碳膜电位器
    電阻体是用经过研磨的碳黑,石墨,石英等材料涂敷于基体表面而成,该工艺简朴, 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好,寿命较长。缺点是电流噪声,非线性大, 耐潮性以及阻值稳定性差。
    1.2 有机实心电位器
    有机实心电位器是一种新型电位器,它是用加热塑压的方法,将有机電阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可*性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可*、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
    1.3 金属玻璃铀电位器
    用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀電阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好, 是很有前程的电位器品种,缺点是打仗電阻和电流噪声大。
    1.4 绕线电位器
    绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为電阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是打仗電阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
    1.5 金属膜电位器
    金属膜电位器的電阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
    1.6 导电塑料电位器
    用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)電阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚分解電阻膜,或将DAP電阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为電阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可*性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
    1.7 带开关的电位器
    有旋轉式開關電位器、推拉式開關電位器、推推開關式電位器
    1.8 预调式电位器
    預調式電位器在電路中,一旦調試好,用蠟封住調節位置,在一般情況下不再調節。
    1.9 直滑式电位器
    采用直滑方式改变電阻值。
    1.10 双连电位器
    有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器
    1.11 无触点电位器
    無觸點電位器消除了機械接觸,壽命長、可*性高,分光電式電位器、磁敏式電位器等。
    2、实芯碳质電阻器
    用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混淆制成一个实体的電阻器。
    特點:價格昂贵,但其阻值誤差、噪聲電壓都大,穩定性差,目前較少用。
    3、绕线電阻器
    用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成,外面塗有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
    绕线電阻具有较低的温度系数,阻值精度高, 稳定性好,耐热耐腐蚀,主要做精密大功率電阻使用,缺点是高频性能差,时间常数大。
    4、薄膜電阻器
    用蒸发的方法将一定電阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要以下:
    4.1 碳膜電阻器
    将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的電阻器。
    4.2 金属膜電阻器。
    用真空蒸發的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
    金属膜電阻比碳膜電阻的精度高,稳定性好,噪声, 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
    4.3 金属氧化膜電阻器
    在絕緣棒上沈積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高溫下穩定,耐熱沖擊,負載能力強。
    4.4 分解膜電阻
    将导电分解物悬浮液涂敷在基体上而得,因此也叫漆膜電阻。
    由于其导电层呈现颗粒状结构,所以其噪声大,精度低,主要用他制造高压, 高阻, 小型電阻器。
    5、金属玻璃铀電阻器
    將金屬粉和玻璃鈾粉混淆,采用絲網印刷法印在基板上。
    耐潮湿, 高温, 温度系数小,主要应用于厚膜电路。
    6、贴片電阻SMT
    片状電阻是金属玻璃铀電阻的一种形式,他的電阻体是高可*的钌系列玻璃铀材料经太高温烧结而成,电极采用银钯合金浆料。体积小,精度高,稳定性好,由于其为片状元件,所以高频性能好。
    7、敏感電阻
    敏感電阻是指器件特性对温度,电压,湿度,光照,气体, 磁场,压力等作用敏感的電阻器。
    敏感電阻的符号是在普通電阻的符号中加一斜线,并在旁标注敏感電阻的范例,如:t. v等。
    7.1、压敏電阻
    主要有碳化硅和氧化锌压敏電阻,氧化锌具有更多的优良特性。
    7.2、湿敏電阻
    由感湿层,电极, 绝缘体组成,湿敏電阻主要包括氯化锂湿敏電阻,碳湿敏電阻,氧化物湿敏電阻。氯化锂湿敏電阻随湿度上升而電阻减小,缺点为测试范围小,特性重复性不好,受温度影响大。碳湿敏電阻缺点为高温灵敏度低,阻值受温度影响大,由老化特性, 较少使用。
    氧化物湿敏電阻性能较优越,可长期使用,温度影响小,阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡,镍铁酸盐,等材料。
    7.3、光敏電阻
    光敏電阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件,当某种物质受到光照时,载流子的浓度增加从而增加了电导率,这就是光电导效应。
    7.4、气敏電阻
    利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成,主要成分是金属氧化物,主要品种有:金属氧化物气敏電阻、复合氧化物气敏電阻、陶瓷气敏電阻等。
    7.5、力敏電阻
    力敏電阻是一种阻值随压力变化而变化的電阻,国外称为压电電阻器。所谓压力電阻效应即半导体材料的電阻率随机器应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计,半导体话筒,压力传感器等。主要品种有硅力敏電阻器,硒碲合金力敏電阻器,相对而言, 合金電阻器具有更高灵敏度。
    电路设计基础知识(2)——電容
    電容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。用C表示電容,電容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF
    一、電容器的型号命名方法
    国产電容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空電容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。
    第一部分:名称,用字母表示,電容器用C。
    第二部分:材料,用字母表示。
    第三部分:分類,一般用數字表示,個別用字母表示。
    第四部分:序號,用數字表示。
    用字母表示産品的材料:A-钽電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-别的材料電解、G-合金電解、H-複合介質、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-铌電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-雲母紙、Y-雲母、Z-紙介
     
    二、電容器的分类
    按照结构分三大类:固定電容器、可变電容器和微调電容器。
    按电解质分类有:有机介质電容器、无机介质電容器、电解電容器和氛围介质電容器等。
    按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型電容器。
    高频旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、涤纶電容器、玻璃釉電容器。
    低频旁路:纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、涤纶電容器。
    滤 波:铝电解電容器、纸介電容器、复合纸介電容器、液体钽電容器。
    调 谐:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。
    高频耦合:陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。
    低频耦合:纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、涤纶電容器、固体钽電容器。
    小型電容:金属化纸介電容器、陶瓷電容器、铝电解電容器、聚苯乙烯電容器、固体钽電容器、玻璃釉電容器、金属化涤纶電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。
     
    3、常用電容器
    1、铝电解電容器
    用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中心卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的電容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解電容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流容量误差大,泄泄电流大;普通的不适于在高频和高温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波
    2、钽电解電容器
    用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解電容器,特别是泄电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的電容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可*机件中
    3、薄膜電容器
    结构与纸质電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
    4、瓷介電容器
    穿心式或支柱式结构瓷介電容器,它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路
    5、独石電容器
    (多层陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型電容器,高介电常数的低频独石電容器也具有稳定的性能,体主动小,Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路
    6、纸质電容器
    一般是用两条铝箔作为电极,中心以厚度为0.008~0.012mm的電容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简朴,价格便宜,能得到较大的電容量 
    一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用。油浸電容器的耐压比普通纸质電容器高,稳定性也好,适用于高压电路
    7、微调電容器
    電容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个電容值。
    瓷介微调電容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种。
    8、雲母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。
    线绕瓷介微调電容器是拆铜丝〈外电极〉来变动電容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用
    9、陶瓷電容器
    用高介电常数的電容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
    具有小的正電容温度系数的電容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路電容器及垫整電容器。低频瓷介電容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种電容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介電容器适用于高频电路
    云母電容器就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电极端直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了氛围间隙,温度系数大为下降,電容稳定性也比箔片式高。频率特性好,Q值高,温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中,并可用作标准電容器
    10、玻璃釉電容器由一种浓度适于喷涂的特殊混淆物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母電容器媲美,能耐受各种天气情况,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008 
     
    四、電容器主要特性参数:
    1、标称電容量和允许偏差
    标称電容量是标志在電容器上的電容量。
    電容器实际電容量与标称電容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
    精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
    一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
    2、額定電壓
    在最低情况温度和额定情况温度下可连续加在電容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在電容器外壳上,如果工作电压超过電容器的耐压,電容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
    3、绝缘電阻
    直流电压加在電容上,并产生泄电电流,二者之比称为绝缘電阻.
    当電容较小时,主要取决于電容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘電阻越小越好。
    電容的时间常数:为恰当的评价大容量電容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于電容的绝缘電阻与容量的乘积。
    4、損耗
    電容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类電容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,電容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和電容所有金属部分的電阻所引起的。 
    在直流电场的作用下,電容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,電容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。
     
    5、頻率特性
    随着频率的上升,一般電容器的電容量呈现下降的规律。
     
    五、電容器容量标示
    1、直標法
    用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。
    2、文字符號法
    用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
    3、色標法
    用色环或色点表示電容器的主要参数。電容器的色标法与電阻相同。
    電容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
    電路設計基礎知識(3)——電感線圈
    电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此相互绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
    一、電感的分類
    按 电感形式 分类:固定电感、可变电感。
    按導磁體性質分類:空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
    按 工作性质 分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
    按 绕线结构 分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
    二、電感線圈的主要特性參數
    1、電感量L
    電感量L表示線圈本身固有特性,與電流大小無關。除專門的電感線圈(色碼電感)外,電感量一般不專門標注在線圈上,而以特定的名稱標注。
    2、感抗XL
    電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關系爲XL=2πfL
    3、品質因素Q
    品格因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的電阻的比值,即:Q=XL/R
    线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流電阻,骨架的介质损耗,屏障罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。
    4、分布電容
    线圈的匝与匝间、线圈与屏障罩间、线圈与底版间存在的電容被称为分布電容。分布電容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布電容越小越好。
    3、常用線圈
    1、單層線圈
    單層線圈是用絕緣導線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。
    2、蜂房式線圈
    如果所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周,导线往返弯折的次数,常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小,分布電容小,而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布電容越小
    3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈
    線圈的電感量大小與有無磁芯有關。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯,可增加電感量和提高線圈的品質因素。
    4、銅芯線圈
    銅芯線圈在超短波範圍應用較多,利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量,這種調整比較方便、耐用。
    5、色碼電感器
    色码电感器是具有固定电感量的电感器,其电感量标志方法同電阻一样以色环来标记。
    6、阻流圈(扼流圈)
    限制交流電通過的線圈稱阻流圈,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。
    7、偏轉線圈
    偏轉線圈是電視機掃描電路輸出級的負載,偏轉線圈要求:偏轉靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格低。
    變壓器
    變壓器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)。變壓器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。
    一、分類
    按冷却方式分类:干式(自冷)變壓器、油浸(自冷)變壓器、氟化物(蒸发冷却)變壓器。
    按防潮方式分类:开放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。
    按铁芯或线圈结构分类:芯式變壓器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式變壓器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型變壓器、金属箔變壓器。
    按电源相数分类:单相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。
    按用途分类:电源變壓器、调压變壓器、音频變壓器、中频變壓器、高频變壓器、脉冲變壓器。
    二、电源變壓器的特性参数
    1 工作频率
    變壓器铁芯损耗与频率关系很大,故应根据使用频率来设计和使用,这种频率称工作频率。
    2 额定功率
    在规定的频率和电压下,變壓器能长期工作,而不超过规定温升的输出功率。
    3 额定电压
    指在變壓器的线圈上所允许施加的电压,工作时不得大于规定值。
    4 电压比
    指變壓器初级电压和次级电压的比值,有空载电压比和负载电压比的区分。
    5 空载电流
    變壓器次级开路时,初级仍有一定的电流,这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成。对于50Hz电源變壓器而言,空载电流基本上等于磁化电流。
    6 空载损耗:指變壓器次级开路时,在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗,其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损),这部分损耗很小。
    7 效率
    指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常變壓器的额定功率愈大,效率就愈高。
    8 绝缘電阻
    表示變壓器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘電阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。
    3、音频變壓器和高频變壓器特性参数
    1 频率响应
    指變壓器次级输出电压随工作频率变化的特性。
    2 通频带
    如果變壓器在中心频率的输出电压为U0,当输出电压(输入电压保持不变)下降到0.707U0时的频率范围,称为變壓器的通频带B。
    3 初、次级阻抗比
    變壓器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使變壓器初、次级阻抗匹配,则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下,變壓器工作在最佳状态,传输效率最高。
     
    電路設計基礎知識(二)
    一、 中国半导体器件型号命名方法
    半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第3、四、五部分)組成。五個部分意義以下:
    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二極管、3-三極管
    第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二極管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
    第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃规复管、CS-場效應管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
    第四部分:用數字表示序號
    第五部分:用漢語拼音字母表示規格號
    比方:3DG18表示NPN型硅材料高频三極管
    日本半導體分立器件型號命名方法
    二、日本生産的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義以下:
    第一部分:用数字表示器件有效电极数目或范例。0-光电(即光敏)二極管三極管及上述器件的组合管、1-二極管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
    第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料极性和范例。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结晶體管、J-P沟道場效應管、K-N 沟道場效應管、M-双向可控矽。
    第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是近期産品。
    第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
    美國半導體分立器件型號命名方法
    3、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法以下:
    第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非軍用品。
    第二部分:用数字表示pn结数目。1-二極管、2=三極管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
    第三部分:美國電子工業協會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。
    第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
    第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三極管,JAN-军级、2-三極管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
    四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
    德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義以下:
    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
    第二部分:用字母表示器件的范例及主要特征。A-检波开关混频二極管、B-变容二極管、C-低频小功率三極管、D-低频大功率三極管、E-隧道二極管、F-高频小功率三極管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三極管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-稳压二極管。
    第三部分:用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
    第四部分:用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
    除四個基本部分外,有時還加後綴,以區別特性或進一步分類。常見後綴以下:
    1、稳压二極管型号的后缀。厥后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;厥后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
    2、整流二極管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。
    3、晶閘管型號的後綴也是數字,通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
    如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三極管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三極管。
    五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
    歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用以下命名方法。
    第一部分:O-表示半導體器件
    第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光电二極管、CP-光电三極管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
    第三部分:多位數字-表示器件的登記序號。
    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型産品。
    俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。
    一、半导体二極管参数符号及其意义
    CT---势垒電容
    Cj---结(极间)電容, 表示在二極管两端加规定偏压下,锗检波二極管的总電容
    Cjv---偏压结電容
    Co---零偏压電容
    Cjo---零偏压结電容
    Cjo/Cjn---结電容变化
    Cs---管壳電容或封装電容
    Ct---总電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
    CTC---電容温度系数
    Cvn---标称電容
    IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二極管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二極管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二極管正向电参数时给定的电流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二極管的最大正向脉冲电流。发光二極管极限电流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 发光二極管起辉电流
    IFRM---正向重複峰值電流
    IFSM---正向不重複峰值電流(浪湧電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光电流或稳流二極管极限电流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流电流(反向泄电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波電阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二極管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二極管在反向电压下,产生的泄电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的泄电流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重複平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重複電流
    IRRM---反向重複峰值電流
    IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪湧電流)
    Irp---反向恢複電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在電阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二極管的最大工作电流
    IZSM---稳压二極管浪涌电流
    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二極管允许通过的电流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢複電流
    Iop---工作電流
    Is---稳流二極管稳定电流
    f---頻率
    n---電容变化指数;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開關功率
    PM---额定功率。硅二極管结温不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪湧功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重複浪湧功率
    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二極管允许承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分電阻
    RBB---双基极晶體管的基极间電阻
    RE---射频電阻
    RL---负载電阻
    Rs(rs)----串联電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---动态電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰减電阻
    r(th)---瞬态電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢複時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---最高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢複時間
    ts---存儲時間
    tstg---温度补偿二極管的贮成温度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光谱半宽度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重複峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪湧電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷点电压
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓範圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝点电压(稳流二極管)
    VL ---极限电压
    二、雙極型晶體管參數符號及其意義
    Cc---集电极電容
    Ccb---集电极与基极间電容
    Cce---发射极接地输出電容
    Ci---输入電容
    Cib---共基极输入電容
    Cie---共发射极输入電容
    Cies---共发射极短路输入電容
    Cieo---共发射极开路输入電容
    Cn---中和電容(外电路参数)
    Co---输出電容
    Cob---共基极输出電容。在基极电路中,集电极与基极间输出電容
    Coe---共发射极输出電容
    Coeo---共发射极开路输出電容
    Cre---共发射极反馈電容
    Cic---集电结势垒電容
    CL---负载電容(外电路参数)
    Cp---并联電容(外电路参数)
    BVcbo---發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
    BVceo---基極開路,CE結擊穿電壓
    BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
    BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
    BV cer---基极与发射极串接一電阻,CE结击穿电压
    D---占空比
    fT---特征頻率
    fmax---最高振荡频率。当三極管功率增益等于1时的工作频率
    hFE---共發射極靜態電流放大系數
    hIE---共發射極靜態輸入阻抗
    hOE---共發射極靜態輸出電導
    h RE---共发射极静态电压反馈系数
    hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
    hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
    hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
    hoe---共發射極小信號開路輸出導納
    IB---基極直流電流或交流電流的平均值
    Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
    IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
    Icbo---基極接地,發射極對地開路,在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向停止電流
    Iceo---發射極接地,基極對地開路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    Iebo---基極接地,集電極對地開路,在規定的反向電壓VEB條件下,發射極與基極之間的反向停止電流
    Icer---基极与发射极间串联電阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向停止电流
    Ices---發射極接地,基極對地短路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    Icex---發射極接地,基極與發射極間加指定偏壓,在規定的反向偏壓VCE下,集電極與發射極之間的反向停止電流
    ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
    IBM---在集電極允許耗散功率的範圍內,能連續地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
    ICMP---集電極最大允許脈沖電流
    ISB---二次擊穿電流
    IAGC---正向自動控制電流
    Pc---集電極耗散功率
    PCM---集電極最大允許耗散功率
    Pi---輸入功率
    Po---輸出功率
    Posc---振蕩功率
    Pn---噪聲功率
    Ptot---總耗散功率
    ESB---二次擊穿能量
    rbb''---基区扩大電阻(基区本征電阻)
    rbb''Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩大電阻与集电结電容量的乘积
    rie---发射极接地,交流输出短路时的输入電阻
    roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出電阻
    RE---外接发射极電阻(外电路参数)
    RB---外接基极電阻(外电路参数)
    Rc ---外接集电极電阻(外电路参数)
    RBE---外接基极-发射极间電阻(外电路参数)
    RL---负载電阻(外电路参数)
    RG---信號源內阻
    Rth---熱阻
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Ts---結溫
    Tjm---最大允許結溫
    Tstg---貯存溫度
    td----延遲時間
    tr---上升時間
    ts---存貯時間
    tf---下降時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    VCB---集電極-基極(直流)電壓
    VCE---集電極-發射極(直流)電壓
    VBE---基極發射極(直流)電壓
    VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VEBO---基極接地,集電極對地開路,發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEO---發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCER---发射极接地,基极与发射极间串接電阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
    VCES---發射極接地,基極對地短路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
    VCEX---發射極接地,基極與發射極之間加規定的偏壓,集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
    Vp---穿通電壓。
    VSB---二次擊穿電壓
    VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VEE---發射極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VCE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
    VBE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下,基極-發射極飽和壓降(前向壓降)
    VAGC---正向自動增益控制電壓
    Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
    V n---噪声电压
    Cj---结(极间)電容, 表示在二極管两端加规定偏压下,锗检波二極管的总電容
    Cjv---偏压结電容
    Co---零偏压電容
    Cjo---零偏压结電容
    Cjo/Cjn---结電容变化
    Cs---管壳電容或封装電容
    Ct---总電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
    CTC---電容温度系数
    Cvn---标称電容
    IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二極管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二極管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二極管正向电参数时给定的电流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二極管的最大正向脉冲电流。发光二極管极限电流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 发光二極管起辉电流
    IFRM---正向重複峰值電流
    IFSM---正向不重複峰值電流(浪湧電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光电流或稳流二極管极限电流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---最大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流电流(反向泄电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波電阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二極管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二極管在反向电压下,产生的泄电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的泄电流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重複平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重複電流
    IRRM---反向重複峰值電流
    IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪湧電流)
    Irp---反向恢複電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在電阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二極管的最大工作电流
    IZSM---稳压二極管浪涌电流
    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二極管允许通过的电流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢複電流
    Iop---工作電流
    Is---稳流二極管稳定电流
    f---頻率
    n---電容变化指数;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---最大開關功率
    PM---额定功率。硅二極管结温不高于150度所能承受的最大功率
    PMP---最大漏過脈沖功率
    PMS---最大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪湧功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---最大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重複浪湧功率
    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二極管允许承受的最大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分電阻
    RBB---双基极晶體管的基极间電阻
    RE---射频電阻
    RL---负载電阻
    Rs(rs)----串联電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---动态電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰减電阻
    r(th)---瞬态電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢複時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---最高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢複時間
    ts---存儲時間
    tstg---温度补偿二極管的贮成温度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光谱半宽度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與第一基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重複峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---最大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪湧電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷点电压
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓範圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝点电压(稳流二極管)
    VL ---极限电压
    3、場效應管参数符号意义
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-衬底電容
    Cgd---栅-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---栅短路共源输入電容
    Coss---栅短路共源输出電容
    Crss---栅短路共源反向传输電容
    D---占空比(占空系數,外電路參數)
    di/dt---電流上升率(外電路參數)
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數)
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態漏極電流
    IDQ---靜態漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時,漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開路時,停止柵電流
    IGSO---漏極開路時,停止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向电流
    IGSS---漏極短路時停止柵電流
    IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
    IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數)
    gfs---正向跨導
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導
    gds---漏源電導
    K---失調電壓溫度系數
    Ku---傳輸系數
    L---負載電感(外電路參數)
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通态電阻
    rDS(of)---漏源断态電阻
    rGD---栅漏電阻
    rGS---栅源電阻
    Rg---栅极外接電阻(外电路参数)
    RL---负载電阻(外电路参数)
    R(th)jc---結殼熱阻
    R(th)ja---結環熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極最大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數)
    to(on)---開通延遲時間
    td(off)---關斷延遲時間
    ti---上升時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tf---下降時間
    trr---反向恢複時間
    Tj---結溫
    Tjm---最大允許結溫
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGS(th)---開啓電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅動源內阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數
    ards---漏源電阻温度系数
    電路設計基礎知識(5)——繼電器
     
    一、继电器的工作原理和特性   
    繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(又稱輸入回路)和被控制系統(又稱輸出回路),通常應用于自動控制電路中,它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
    1、電磁繼電器的工作原理和特性
    電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓,線圈中就會流過一定的電流,從而産生電磁效應,銜鐵就會在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯,從而帶動銜鐵的動觸點與靜觸點(常開觸點)吸合。當線圈斷電後,電磁的吸力也隨之消失,銜鐵就會在彈簧的反作用力返回原來的位置,使動觸點與原來的靜觸點(常閉觸點)吸合。這樣吸合、釋放,從而達到了在電路中的導通、切斷的目的。對于繼電器的“常開、常閉”觸點,可以這樣來區分:繼電器線圈未通電時處于斷開狀態的靜觸點,稱爲“常開觸點”;處于接通狀態的靜觸點稱爲“常閉觸點”。
    2、熱敏幹簧繼電器的工作原理和特性
    熱敏幹簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測和控制溫度的新型熱敏開關。它由感溫磁環、恒磁環、幹簧管、導熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏幹簧繼電器不用線圈勵磁,而由恒磁環産生的磁力驅動開關動作。恒磁環能否向幹簧管提供磁力是由感溫磁環的溫控特性決定的。
    3、固態繼電器(SSR)的工作原理和特性
    固態繼電器是一種兩個接線端爲輸入端,另兩個接線端爲輸出端的四端器件,中間采用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。
    固态继电器按负载电源范例可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分为混淆型、變壓器隔离型和光电隔离型,以光电隔离型为最多。.
    二、繼電器主要産品技術參數
    1、額定工作電壓
      是指繼電器正常工作時線圈所需要的電壓。根據繼電器的型號不同,可以是交流電壓,也可以是直流電壓。
    2、直流電阻
      是指继电器中线圈的直流電阻,可以通过万能表测量。
    3、吸合電流
      是指繼電器能夠産生吸合動作的最小電流。在正常使用時,給定的電流必須略大于吸合電流,這樣繼電器才能穩定地工作。而對于線圈所加的工作電壓,一般不要超過額定工作電壓的1.5倍,否則會産生較大的電流而把線圈燒毀。
    4、釋放電流
     是指繼電器産生釋放動作的最大電流。當繼電器吸合狀態的電流減小到一定程度時,繼電器就會恢複到未通電的釋放狀態。這時的電流遠遠小于吸合電流。
    5、觸點切換電壓和電流
     是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小,使用時不能超過此值,否則很容易損壞繼電器的觸點。
    3、繼電器測試
    1、测触点電阻
      用万能表的電阻档,测量常闭触点与动点電阻,其阻值应为0;而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区分出那个是常闭触点,那个是常开触点。
    2、测线圈電阻
      可用萬能表R×10Ω檔測量繼電器線圈的阻值,從而判斷該線圈是否存在著開路現象。
    3、測量吸合電壓和吸合電流
      找來可調穩壓電源和電流表,給繼電器輸入一組電壓,且在供電回路中串入電流表進行監測。慢慢調高電源電壓,聽到繼電器吸合聲時,記下該吸合電壓和吸合電流。爲求准確,可以試多幾次而求平均值。
    4、測量釋放電壓和釋放電流
      也是像上述那樣連接測試,當繼電器發生吸合後,再逐漸低落供電電壓,當聽到繼電器再次發生釋放聲音時,記下此時的電壓和電流,亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下,繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50%,如果釋放電壓太小(小于1/10的吸合電壓),則不能正常使用了,這樣會對電路的穩定性造成威脅,工作不可*。
    四、繼電器的電符號和觸點形式
    繼電器線圈在電路中用一個長方框符號表示,如果繼電器有兩個線圈,就畫兩個並列的長方框。同時在長方框內或長方框旁標上繼電器的文字符號“J”。繼電器的觸點有兩種表示方法:一種是把它們直接畫在長方框一側,這種表示法較爲直觀。另一種是按照電路連接的需要,把各個觸點分別畫到各自的控制電路中,通常在同一繼電器的觸點與線圈旁分別標注上相同的文字符號,並將觸點組編上號碼,以示區別。繼電器的觸點有三種基本形式:
    1.動合型(H型)線圈不通電時兩觸點是斷開的,通電後,兩個觸點就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
    2.動斷型(D型)線圈不通電時兩觸點是閉合的,通電後兩個觸點就斷開。用斷字的拼音字頭“D”表示。
    3.轉換型(Z型)這是觸點組型。這種觸點組共有三個觸點,即中間是動觸點,上下各一個靜觸點。線圈不通電時,動觸點和其中一個靜觸點斷開和另一個閉合,線圈通電後,動觸點就移動,使原來斷開的成閉合,原來閉合的成斷開狀態,達到轉換的目的。這樣的觸點組稱爲轉換觸點。用“轉”字的拼音字頭“z”表示。
    五、繼電器的選用
    1.先了解必要的條件:①控制電路的電源電壓,能提供的最大電流;②被控制電路中的電壓和電流;③被控電路需要幾組、什麽形式的觸點。選用繼電器時,一般控制電路的電源電壓可作爲選用的依據。控制電路應能給繼電器提供足夠的工作電流,否則繼電器吸合是不穩定的。
    2.查閱有關資料確定使用條件後,可查找相關資料,找出需要的繼電器的型號和規格號。若手頭已有繼電器,可依據資料核對是否可以利用。最後考慮尺寸是否合適。
    3.注意器具的容積。如果用于一般用電器,除考慮機箱容積外,小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對于小型電器,如玩具、遙控裝置則應選用超小型繼電器産品。
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